سامسونج: ذاكرة HBM قد تستحوذ على 30% من طاقة إنتاج DRAM في 2027

تتجه صناعة الذاكرة العالمية إلى تحول واضح في خطوط الإنتاج مع تسارع الطلب على شرائح الذاكرة عالية النطاق HBM، إذ تتوقع سامسونج إلكترونيكس أن تقترب حصة هذه الذاكرة من 30% من إجمالي طاقة رقائق DRAM خلال العام المقبل.

من 20% إلى قرابة 30%

قال كيم تايوو، نائب الرئيس التنفيذي في سامسونج إلكترونيكس، إن HBM تمثل حالياً نحو 20% من طاقة رقائق DRAM على مستوى الصناعة، متوقعاً ارتفاع النسبة إلى قرابة 30% في 2027، وفق رويترز في 29 سبتمبر 2026.

وتستخدم HBM شرائح ذاكرة مكدسة رأسياً لتوفير نقل بيانات سريع جداً، وهو ما جعلها عنصراً أساسياً في أنظمة الحوسبة المتقدمة ومراكز البيانات.

ضغط محتمل على ذاكرة DRAM التقليدية

تكمن أهمية التحول في أن HBM وذاكرة DRAM التقليدية تتنافسان على طاقة تصنيع الرقائق نفسها. ومع تخصيص حصة أكبر لإنتاج HBM، قد تصبح الطاقة المتاحة لبعض أنواع الذاكرة التقليدية أكثر تقييداً، وهو عامل مهم لمصنعي الحواسيب والخوادم والأجهزة الإلكترونية.

سباق تقني بين كبار المصنعين

تتنافس سامسونج وSK Hynix وMicron في سوق HBM سريع النمو. وكانت سامسونج قد أعلنت في مايو بدء شحن عينات HBM4E ذات 12 طبقة، بسرعات تصل إلى 16 جيجابت في الثانية، ضمن خطتها لتلبية أحمال الحوسبة من الجيل التالي.

المصادر: رويترز، 29 سبتمبر 2026؛ Samsung Newsroom، 29 مايو 2026.